[发明专利]一种在碲镉汞红外探测器芯片上制备接触孔的方法

摘要

本申请涉及红外探测器芯片制备领域，公开了一种在碲镉汞红外探测器芯片上制备接触孔的方法，包括根据接触孔图形，利用干法刻蚀工艺刻蚀碲镉汞红外探测器芯片表面的复合钝化膜，去除第二钝化膜；复合钝化膜包括层叠的第一钝化膜和第二钝化膜；利用腐蚀液腐蚀与接触孔图形对应的第一钝化膜，腐蚀停止至第一钝化膜与碲镉汞材料的界面；利用干法刻蚀工艺刻蚀碲镉汞材料表面与腐蚀液接触的区域，去除碲镉汞红外探测器芯片中碲镉汞材料表面在腐蚀过程产生的生成物，形成接触孔，其中，刻蚀偏压范围为5V～10V。本申请采用刻蚀、腐蚀和刻蚀的方式，使接触孔的深度具有高度一致性，且使接触孔内电极具有良好欧姆接触效果，同时降低芯片的刻蚀损伤。