[发明专利]分析缺陷设计结构的扫描方法在审
| 申请号： | 202310615325.X | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116581049A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王敏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06T7/00;G06T7/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种分析缺陷设计结构的扫描方法，提供扫描机台以及待测器件，扫描机台导入有待测器件的设计文件信息，设计文件信息包括多种尺寸信息；根据设计文件信息中不同的图形设置对应的缺陷结构分析；利用扫描机台获取待测器件的扫描结果，判断扫描结构的缺陷是否与至少一种尺寸信息相关；若是，则利用扫描机台重新分析扫描结构，扫描结构的缺陷的数量百分比位于任一种尺寸信息对应的设计尺寸范围，则输出扫描结构并发出缺陷报警；若否，则结束扫描并输出扫描结果。本发明可以对扫描缺陷的结构进行快速的分析，增加缺陷分析的维度；根据缺陷的结构分析结果，可以帮助快速追溯缺陷的来源以及缺陷的产生机理，提高缺陷分析效率。 | ||
| 搜索关键词： | 分析 缺陷 设计 结构 扫描 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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