[发明专利]高线性激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310612843.6 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116706683A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李景虎;薛贤铨;张兴宝;郑维银;田永猛 | 申请（专利权）人： | 成都亿芯源半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22;H01S5/026;H01S5/02 |
| 代理公司： | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人： | 陈远洋 |
| 地址： | 610095 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提出了一种长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片。其中，长波长半导体基片包括衬底和生长在衬底上的增益区；其中，增益区包括至少三个InGaAsP增益层，每个InGaAsP增益层包括上波导层、两层应变量子阱、量子垒和下波导层，相邻的两个InGaAsP增益层之间通过InP间隔层分隔。长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片能够对出光模场进行调控，实现芯片的低发散角和高的单模光纤耦合效率，从而提高长波长半导体激光器芯片的出光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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