[发明专利]一种降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法和应用在审
| 申请号： | 202310577774.X | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116618648A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 汪礼胜;於挺;任广辉 | 申请（专利权）人： | 中科意创（广州）科技有限公司 |
| 主分类号： | B22F1/107 | 分类号： | B22F1/107;B22F1/054;B22F3/10;B22F3/24 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 柯梦云 |
| 地址： | 510530 广东省广州市黄埔*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于器件封装技术领域，具体涉及一种降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法和应用。所述降低纳米金属膏空洞率的烧结粘接方法，包括以下步骤：S1、将纳米膏体印刷到被粘接基材上；S2、将电子器件安放到纳米银膏上；S3、将贴有电子器件的基材进行冷冻干燥；S4、将干燥后的产品进行烧结；所述冷冻干燥包括以下操作：第一阶段：预冻，所述预冻的温度为10℃以下；第二阶段：初次干燥；第三阶段：二次干燥；第四阶段：最终干燥；或第一阶段：预冻，所述预冻的温度为10℃以下；第二阶段：初次干燥；第三阶段：最终干燥。本发明的烧结粘接方法能够有效降低金属键合的空洞率，提高导热率和提升键合强度，最终提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 纳米 金属 空洞 烧结 方法 应用 | ||
【主权项】：
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