[发明专利]基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置及方法

摘要

本发明提供一种基于BSI工艺不同尺寸晶圆键合后背部腐蚀装置及方法，该装置主要包括抽气口、反应腔、注液口、排液口和固定吸盘，通过抽气口降低反应腔内部的气压，将固定吸盘吸附在键合晶圆的待腐蚀区，通过注液口将腐蚀液注入反应腔进行腐蚀，再通过排液口将腐蚀液由反应腔排出，再升高反应腔的内部气压，将装置与键合晶圆分离，清洗并吹干即完成晶圆的背部腐蚀。在BSI工艺中，利用本发明对键合晶圆进行背部腐蚀，既保证了逻辑电路区不会受到腐蚀液的严重侵蚀，又保证了实验人员在工作期间不会直接与腐蚀液接触，不会吸入腐蚀液挥发出的气体，从而提高了实验人员自身的安全性。