[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202310533505.3 | 申请日： | 2023-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN116281846B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 | 申请（专利权）人： | 润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 330200 江西省南昌市高新技术*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层包括第一表面和第二表面；在敏感材料层的第二表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，边墙层的顶部形成有连接牺牲层的释放孔，边墙层的底部设置在敏感材料层的第二表面上；自敏感材料层的第一表面起依次刻蚀敏感材料层和边墙层，以形成贯穿敏感材料层、并延伸至边墙层内部的凹槽，凹槽的开口与边墙层的底部相对设置；形成填充凹槽的填充层；通过释放孔去除牺牲层，以在边墙层和敏感材料层之间形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司，未经润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310533505.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
