[发明专利]一种超薄型全边框耐高温的半导体应变计及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202310532191.5 申请日: 2023-05-12
公开(公告)号: CN116242246B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 李树成;沈绍群;李海全;梁敏茹 申请(专利权)人: 广东润宇传感器股份有限公司
主分类号: G01B7/16 分类号: G01B7/16
代理公司: 广州博联知识产权代理有限公司 44663 代理人: 万松;王洪江
地址: 529100 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于压力传感器技术领域,具体涉及一种超薄型全边框耐高温的半导体应变计及其制备方法。所述半导体应变计采用全边框封闭式孔洞结构,并包括高阻硅衬底层、二氧化硅氧化层、两条电阻栅、三个铝压脚以及氮化硅绝缘钝化膜;其中,两条电阻栅由四条力敏电阻串联而成,力敏电阻由低压气相沉积法在二氧化硅氧化层表面上方生长的亚纳米硅晶体薄膜组成,亚纳米硅晶体薄膜的晶核大小介于纳米硅与多晶硅之间。本发明所得的应变计具有宽应用温度范围,如使用温度在‑60℃~+180℃且具备低温漂特性以及高稳定性。
搜索关键词: 一种 超薄型 边框 耐高温 半导体 应变 及其 制备 方法
【主权项】:
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