[发明专利]一种避免金属过刻的阵列基板制造方法在审

专利信息
申请号: 202310485144.X 申请日: 2023-05-04
公开(公告)号: CN116722014A 公开(公告)日: 2023-09-08
发明(设计)人: 陈伟;陈鑫 申请(专利权)人: 华映科技(集团)股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 代理人: 宋连梅
地址: 350000 福*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种避免金属过刻的阵列基板制造方法,包括:第二绝缘层开孔时,同步在面外进行开孔设计,即形成第一面外过孔,提前蚀刻掉第一、第二绝缘层,使底层第一金属层显露出来;第三绝缘层正常开孔,此时面内过孔和第二面外过孔蚀刻深度为第二绝缘层和第三绝缘层厚度总和,变为深孔,第一面外过孔内的第三面外过孔蚀刻深度仅为第三绝缘层厚度,变为浅孔。本发明的第二绝缘层开孔时,同步在面外进行开孔设计,故第三绝缘层在开孔时面内蚀刻深度不变,面外由于提前蚀刻两层绝缘层,最终只蚀刻一层第三绝缘层,避免了面内金属TopMo过刻、PI液不断侵蚀的制程问题。
搜索关键词: 一种 避免 金属 阵列 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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