[发明专利]一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202310480173.7 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116444167A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 邵婷;孙来喜;吴卫东;叶鑫;黎维华;肖凯博;高松;张晓璐;郑建刚 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 于晶晶 |
| 地址： | 621999*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法，属于熔石英元件加工技术领域，对熔石英元件的表面进行反应离子刻蚀处理，所述反应离子刻蚀采用的等离子体包括氟碳等离子体、氩等离子体和氧等离子体，本发明采用纯干法刻蚀对熔石英元件进行表面后处理，在现有反应离子刻蚀技术基础上，通过在原料气中添加一定量的氧气，或是在刻蚀完成之后继续用氧等离子对样品进行一定时间的后处理，抑制F元素与熔石英基体的结合，抑制或修复次生缺陷的生成，提高元件抗损伤性能提升幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 石英 元件 紫外 激光 诱导 损伤 性能 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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