[发明专利]闪存浮栅的制作方法在审

专利信息
申请号: 202310476323.7 申请日: 2023-04-27
公开(公告)号: CN116322052A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 高毅;左睿昊;马开阳;周婧涵 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H10B41/30 分类号: H10B41/30;H10B41/70;H01L21/28
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑星
地址: 201203 上海市浦东新区中*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种闪存浮栅的制作方法,包括:提供一具有存储区和外围区的衬底,刻蚀部分厚度的衬底形成沟槽并定义出有源区,有源区位于沟槽两侧的衬底中;采用HARP工艺形成隔离介质,隔离介质填充沟槽且包括高出衬底的隔离凸起部;形成浮栅层,在存储区浮栅层覆盖衬底和隔离凸起部的上表面和侧面,浮栅层还覆盖位于外围区的衬底;形成保护层,保护层填充浮栅层的位于有源区的凹陷区域;以保护层为掩膜,刻蚀去除在存储区内浮栅层覆盖隔离凸起部的部分,并去除浮栅层位于外围区的部分;去除保护层,剩余的浮栅层构成浮栅。本发明实现了浮栅层在有源区后形成,形成STI结构中的隔离介质采用HARP工艺,保证了与逻辑工艺较好地兼容。
搜索关键词: 闪存 制作方法
【主权项】:
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