[发明专利]制备高质量碳化硅晶体的生长方法及设备在审
| 申请号： | 202310474685.2 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116536766A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 许成凯 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种制备高质量碳化硅晶体的生长方法及设备，方法采用两个长晶阶段，第一长晶阶段采用提拉法对碳化硅籽晶进行长晶，将碳化硅籽晶浸润在碳化硅熔液中，消除籽晶中的微管缺陷位错；第二阶段采用气相法对消除微管缺陷后的碳化硅籽晶进行长晶。设备采用内外双坩埚设计，将内坩埚设置在熔融室内，首先籽晶在内坩埚内的碳化硅熔液中进行第一长晶阶段，对碳化硅籽晶的微管缺陷及位错进行修复，修复后，旋转升降轴带动籽晶上升，在上升过程中，通过传动装置缓慢闭合盖体和导流装置，直至籽晶上升至预设位置，盖体和导流装置完全闭合，开始第二长晶阶段，由于第一长晶阶段已经对籽晶缺陷进行修复，后续长晶过程中无缺陷可继承，提高晶体的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 质量 碳化硅 晶体 生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司，未经江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310474685.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
