[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED有效
| 申请号： | 202310466176.5 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116190519B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的应力调控层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述应力调控层包括晶格优化层和应力缓冲层，所述晶格优化层包括依次层叠的Al层、AlN层和AlPGaN层，所述应力缓冲层包括依次层叠的Ga极性AlInGaN层/N极性AlInGaN层超晶格层和P型AlBGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够改善AlGaN外延层与Si衬底晶格失配，控制相应产生外延片应力，从而改善外延片的良率和光电性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 led | ||
【主权项】：
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