[发明专利]一种去除多孔硅表面氧化层的方法提高在审
| 申请号： | 202310381362.9 | 申请日： | 2023-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116425166A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 邓晓龙;王桢;刘文强;王鹏;赵福成;陈春辉;费龙盼;门方 | 申请（专利权）人： | 浙江吉利控股集团有限公司;浙江吉利动力总成有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 刘凯强;牛利民 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本申请提供了一种去除多孔硅表面氧化层的方法，所述方法包括：将还原性金属粉与所述多孔硅混合制得混合物1，将混合物1煅烧后在SiCl |
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| 搜索关键词： | 一种 去除 多孔 表面 氧化 方法 提高 | ||
【主权项】：
暂无信息
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