[发明专利]一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法在审
申请号: | 202310346501.4 | 申请日: | 2023-04-03 |
公开(公告)号: | CN116165257A | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 陈卓元;荆江平;冯昌 | 申请(专利权)人: | 佛山科学技术学院 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N27/416 |
代理公司: | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人: | 张晓婷 |
地址: | 528000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及光电化学阴极保护技术领域,尤其涉及一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法。一种评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法,包括以下步骤:步骤A、将半导体材料制备半导体电极;步骤B、待保护金属的暗态阳极极化曲线测试:在所需溶液环境和暗态下,测试待保护金属的阳极极化曲线;步骤C、半导体电极的光致阴极极化曲线测试:在所需溶液环境和光照下,测试半导体电极的阴极极化曲线。所述评价半导体材料的光致阴极保护性能的方法,可以在不耦联金属电极的情况下,初步判断半导体电极对特定金属的光致阴极保护性能,表征速度快,且准确率高,解决了现有半导体材料的光致阴极保护性能的表征方法稳定性差、测试效率低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 评价 半导体材料 阴极保护 性能 方法 | ||
【主权项】:
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