[发明专利]基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路及方法在审
| 申请号： | 202310324858.2 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116362188A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/373 | 分类号： | G06F30/373;G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路及方法，该模型仿真电路包括场效应管和漂移区电阻构成的原模型电路，在所述原模型电路的源端(S)设置第一电压控制电压源(EX1)，在所述原模型电路的漏端(D)与沟道之间设置第二电压控制电压源(EX2)，并利用符号函数对所述第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)进行控制，以规范第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bcd 工艺 隔离 结构 模型 仿真 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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