[发明专利]制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置有效
| 申请号： | 202310323224.5 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116022747B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 姚亚刚;周正阳;张凯 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064;H01S5/042;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 朱如松;仲崇明 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置，方法包括：原位硼源实现：经过清洗并抛光的金属基底，在金属基底表面形成原位硼源，金属基底选自熔点温度高于氮化硼纳米管生长温度的，原位硼源为采用渗硼处理得到；纳米管生长：准备催化剂溶液并部分或者全部地涂覆于生长基底以形成生长区域，而后在保护气氛围下以2~30℃/min的升温速率，升至1200~1350℃后，通入氨气保温30~180min，随炉冷却至室温即可。本发明制备效率高，工艺条件和产品可控性好，具有良好的生长控制性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化 纳米 方法 材料 半导体器件 装置 | ||
【主权项】：
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