[发明专利]一种沟槽MOSFET器件的制造方法及其结构有效
| 申请号： | 202310311272.2 | 申请日： | 2023-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN116031153B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 杨国江;卓宁泽 | 申请（专利权）人： | 江苏长晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙) 32413 | 代理人： | 仝东凤 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOSFET器件的制造方法及其结构，所述方法包括：刻蚀承载体的功能面制备多个第一凹槽，多个第一凹槽之间形成多个第一凸台；刻蚀MOSFET晶圆的第二表面形成多个沟槽结构；在沟槽结构中进行注入与推结，以在沟槽结构内形成源极多晶硅与栅极多晶硅；刻蚀MOSFET晶圆的第一表面，形成多个横纵交错的第二凹槽，第二凹槽将MOSFET晶圆分为多个第二凸台；将第二凸台粘接于第一凹槽内，使得第一凹槽与第二凸台对应设置；并切割形成沟槽MOSFET器件。本发明通过沟槽MOSFET晶圆对应设置承载体结构，实现漏极电流从芯片五个面引出并向源极传输，提高可靠性和散热性能，降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 器件 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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