[发明专利]衬底处理装置在审
| 申请号： | 202310293124.2 | 申请日： | 2023-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN116805606A | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 中泽和彦;森冈利仁;蒲裕充;太田乔 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 衬底处理装置中，对衬底(9)的下表面(92)与基座部(21)的基座面(210)之间送出气体，形成朝向径向外侧的气流(93)，通过伯努利效应，在衬底(9)与基座部(21)之间的空间产生压力下降。基座面(210)的第2面(212)随着朝向径向外侧而朝向上方。第3面(213)随着从第2面(212)的外周缘朝向径向外侧而朝向下方。第4面(214)是与第3面(213)的下端缘连续的圆环状的面。第4面(214)在比衬底(9)的外周缘更靠径向外侧向径向外侧扩展。由此，能抑制处理液附着到衬底(9)的下表面(92)，且提高衬底(9)的保持的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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