[发明专利]一种对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真方法在审
| 申请号： | 202310281476.6 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116386746A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 庞爱锁;林佳继;刘群 | 申请（专利权）人： | 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G16C20/10 | 分类号： | G16C20/10;G06F30/28;G06T17/00;G06F111/10;G06F113/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人： | 华锦峰 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及数值模拟仿真技术领域，公开了一种对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真方法，包括导入反应器的三维几何模型，并进行简化处理，得到简化后的三维几何模型，对简化后的三维几何模型进行网格化，建立网格文件，将网格文件导入模拟软件，设置计算求解器，在计算求解器里选择物理模型并设定单元区域条件和边界条件，在计算求解器里初始化计算流场，开始迭代计算求解，当迭代计算收敛后，得到反应器的气流分布云图、反应器的温度变化云图和化学反应硅的沉积率云图，完成对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真。本发明缩短了仿真计算周期，保证了仿真结果的准确性，为后期对反应器结构和沉积薄膜均匀性的改进，提供了可靠的数据支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 低压 化学 沉积 模拟 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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