[发明专利]一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202310269252.3 | 申请日： | 2023-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN116288680A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 殷红;陈乐;高伟 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 长春市恒誉专利代理事务所(普通合伙) 22212 | 代理人： | 李荣武 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料科学技术领域，具体涉及一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜及其制备方法。该技术方案提出一种蓝宝石衬底上直接生长的大面积六方氮化硼外延膜，所述的制备方法采用离子束辅助溅射方法，在生长过程中主辅离子源分别给予高能量的离子溅射，使高能B/N原子跨越其与衬底表面的优势取向能量势垒，与衬底表面形成共价结合，诱导六方氮化硼六角网格平面沿着纵向垂直于衬底表面进行外延，从而获得大面积垂直取向的六方氮化硼外延膜。相比于常见的范德华外延生长方式，本发明外延方式可以有效释放应力，使得六方氮化硼膜与衬底表面的结合力更强，稳固性更好，适宜做光电子器件和电子器件的模板、过渡层、散热层等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 大面积 氮化 硼异质 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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