[发明专利]一种二维材料光电子芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310249566.7 | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116403886A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 尹志军;范宁;崔国新;叶志霖;汤济;许启诚 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L25/16;C23C28/00;C23C14/30;C23C14/16;C23C14/18;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/30;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;朱炎 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维材料光电子芯片及其制备方法，制备方法包括：获取待镀膜的衬底晶元；在衬底晶元表面依次制备金属薄膜和氮化硅薄膜；在具备金属镀膜和氮化硅薄膜的晶圆表面，按照预设的芯片图案区域，生长二维材料；对二维材料按照预设形状进行激光切割；在中间样品表面进行原子层沉积，在二维材料表面沉积超薄介质薄膜，使超薄介质薄膜覆盖于中间样品表面；在超薄介质薄膜的表面制备金属薄膜电极；将目标样品与印刷电路板键合，得到二维材料光电子芯片。本申请提供的的方法采用原子层沉积(ALD)技术，在二维材料表面沉积超薄介质薄膜，形成的超薄介质薄膜能够保护内部的二维材料，使二维材料不因半导体加工工艺而破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 光电子 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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