[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202310227110.0 | 申请日： | 2023-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN116913944A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 长田尚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁;姚宗妮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括第一有源单元区和第二有源单元区以及设置在所述第一和第二有源单元区之间的无源单元区，其中第一有源单元区和第二有源单元区中的每一者包括：沟槽栅极；第一沟槽发射极；第一导电类型的第一空穴阻挡层，形成在沟槽栅极和第一沟槽发射极之间；第二导电类型的基极层，形成在第一空穴阻挡层的上部；第一导电类型的发射极层，形成在基极层的上部；第二导电类型的防闩锁层，形成在第一空穴阻挡层的上部，其中无源单元区包括：第二沟槽发射极；第二导电类型的第一浮置层，形成在第一有源单元区的沟槽栅极和第二沟槽发射极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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