[发明专利]堆叠式CMOS图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 202310226577.3 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116153954A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 施喆天;高喜峰;邢家明;于惟玮 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/552;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 尤彩红 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种堆叠式CMOS图像传感器及其制作方法，包括：键合的逻辑晶圆和像素晶圆，逻辑晶圆包括第一衬底和第一金属层；像素晶圆包括第二衬底和第二金属层；第二衬底中侧形成有接地孔和接地焊垫；第三金属层填充硅通孔且与第一金属层电连接，第三金属层还通过第二金属层与接地焊垫电连接；互连层遮光部填充接地孔并延伸覆盖部分第二衬底且与第三金属层电连接。工艺制程中产生的电荷可经第二衬底导入到接地孔，经互连层遮光部导入到硅通孔中的第三金属层，再经第二金属层导入到接地焊垫和/或经第一金属层导入到第一衬底，使电荷有释放路径导走。还可防止堆叠式CMOS图像传感器的静电干扰以及其他电磁干扰等，提高信号稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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