[发明专利]一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用在审
| 申请号： | 202310162514.6 | 申请日： | 2023-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN116240632A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谢雪健;仲光磊;陈秀芳;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用。本发明利用铝、氮元素构成的化合物或固溶体作为一类掺杂源和其它p型掺杂源作为二类掺杂源来进行Al‑N共掺。进一步的，在SiC粉料区中放置AlN材料作为一类掺杂源，使其分解时提供相同摩尔比的Al原子和N原子，进而实现N源与Al源同步释放，起到维持重掺杂晶体的单一晶型；放置Al |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sic 及其 生长 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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