[发明专利]一种计算受弱地磁活动影响的foF2的方法在审
| 申请号： | 202310157610.1 | 申请日： | 2023-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN116756903A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 安玲玲;曹博鑫;冯静;蔚娜;鲁转侠;齐东玉;王岳松 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学广州研究院;中国电子科技集团公司第二十二研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 广东省中源正拓专利代理事务所(普通合伙) 44748 | 代理人： | 朱靖华 |
| 地址： | 510000 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种计算受弱地磁活动影响的foF2的方法，涉及电离层物理研究及应用技术领域。该方法包括：获取Ap指数和Dst指数，Ap指数和Dst指数满足第一条件；通过处理F10.7指数获取电离层太阳活动指数S；利用傅里叶多项式计算出太阳活动影响值T；获取实际观测值R；利用实际观测值R和太阳活动影响值T获取弱地磁活动影响值G。本发明通过改进F10.7指数进而提出一种电离层太阳活动指数S，能够在研究foF2时，有效的将弱地磁活动对foF2的影响分离出来，有利于更直观的研究弱地磁活动对foF2和电离层的影响；本发明所提出的方法可操作性强，数据选取简易，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 计算 地磁 活动 影响 fof2 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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