[发明专利]内部多取向孪晶与析出相共存的铜镍硅合金及其制备方法在审
| 申请号： | 202310147411.2 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116377280A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 班宜杰;张毅;李蕴彰;周孟;唐顺龙;耿永锋;张晓辉;安俊超;宋克兴;王智勇;贾延琳;李旭;刘勇;田保红;付明 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C1/02;C22F1/08;C22F1/02 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 时亚娟 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 内部多取向孪晶与析出相共存的铜镍硅合金，包括以下质量百分比的组分：2.5~3.5%的Ni，0.6~0.85%的Si，0.3~0.5%的Cr，余量为铜；铜镍硅合金中含有30‑35%体积的高密度、且具有不同取向的纳米孪晶，纳米孪晶的厚度为5~70 nm，不同取向的纳米孪晶呈相互交叉状，或纳米孪晶的尖端终止于不同取向的纳米孪晶晶界和晶粒边界处，铜镍硅合金中还均匀分布有粒径为6~20nm的纳米级析出相。本发明将元素配比优化、调控热处理和晶粒细化工艺相结合，使均匀分布的析出相和高密度多取向纳米孪晶同时存在于合金基体中，达到改变合金内部组织结构，显著提高合金性能，制备高强、高导、高延伸性铜镍硅合金的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 内部 取向 析出 共存 铜镍硅 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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