[发明专利]一种紫外发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202310101285.7 | 申请日： | 2023-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN115799417B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 舒俊;张彩霞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 万建 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该紫外发光二极管包括层叠设置于所述缓冲层上的多孔AlGaN层、第一AlGaN渐变层与第二AlGaN渐变层，所述多孔AlGaN层上设有应力释放孔，所述第一AlGaN渐变层为Al组分递减、Si掺杂浓度递增的渐变AlGaN材料，且填充所述多孔AlGaN层的所述应力释放孔，所述第二AlGaN渐变层为Al组分递增、Si掺杂浓度递减的渐变AlGaN材料，所述N电极层叠设于所述第一AlGaN渐变层远离所述多孔AlGaN层的一侧表面。本发明旨在提升N型半导体层的掺杂效率以及载流子浓度，以提升紫外发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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