[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202310098294.5 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN116613125A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 山口英树 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到能够抑制半导体元件的破损，并且确保该半导体元件与配线之间的绝缘距离的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有第1半导体元件(1)、第2半导体元件(8)、第1配线(11)和第2配线(7)。第1半导体元件具有第1主面(1a)和第2主面(1b)。在第1主面形成电极(1c)。第2半导体元件在从第1主面朝向第2主面的厚度方向上配置于与第1半导体元件不同的位置处。第1配线包含与电极(1c)连接的端部(11a)。端部包含上表面和切割面。切割面位于与上表面不同的方向上。第2配线的直径(D2)小于第1配线的直径(D1)。第2配线包含第1端(7a)和第2端(7b)。第1端与第1配线的端部的上表面直接连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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