[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202310096694.2 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN116613203A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 本田成人;深田祐介;冈本隼人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。抑制RC‑IGBT的恢复损耗的增加。关于半导体装置，IGBT区域具有漂移层的表层的第2导电型的基极层，二极管区域具有漂移层的表层的第2导电型的阳极层，终端区域具有漂移层的表层的第2导电型的阱层，沿漂移层的上表面的方向上的基极层的杂质浓度的分布以及阳极层的杂质浓度的分布周期性地变动，基极层的杂质浓度的分布与阳极层的杂质浓度的分布不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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