[发明专利]砷磷薄膜材料的制备方法及装置有效
| 申请号： | 202310083671.8 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN115807211B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 彭聪;宋家琪;柴立元;梁彦杰;闵小波;彭兵;王海鹰;柯勇;刘相恒;刘振兴;周元;赖心婷 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06 |
| 代理公司： | 长沙知行亦创知识产权代理事务所(普通合伙) 43240 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种砷磷薄膜材料的制备方法及装置。所述砷磷薄膜材料的制备方法为在真空条件下，在400~450℃下加热使所述黑磷砷晶体挥发，沉积至基底上，在所述基底上形成所述砷磷薄膜材料；其中，所述基底位于所述黑磷砷晶体的上方。该方法简单易操作，解决了现有技术砷磷薄膜材料尺寸小、厚度最薄仅能达到微米级且厚度不可控，且难获得大面积均匀厚度的砷磷薄膜材料，或是容易引入有机杂质等问题。制备得到的砷磷薄膜材料可作为前驱体，用于大面积黑磷砷二维薄膜的制备，从而应用于半导体器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 材料 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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