[发明专利]一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构

摘要

本发明属于射频技术领域，具体涉及一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构。所述M型磁耦合结构涉及集成电路封装件塑料包封体内的引线框架、金属键合线以及芯片裸片。所述M型磁耦合结构包括由所述引线框架、金属键合线以及芯片裸片形成的第一M型导电结构，以及与之电气隔离并对称的第二M型导电结构。相较于传统结构，其特殊的并联双环(M型)结构具备以下优点：工艺简单，耦合结构均为易加工的矩形，无需在引线框架上制作复杂的弧线；耦合结构基本对称，故而收发结构基本对称，有益于双向通信的实现；抗干扰能力强，并联双环结构使其具有电流相反的导电环，外界磁场干扰耦合至线圈的噪声被抵消；对外磁场辐射小，对外辐射区域小。