[发明专利]一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202310073716.3 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN115939198A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王冠宇;凌鹏;孔森林;向盈聪;周春宇;王巍 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 方钟苑 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在衬底上离子注入形成N+BL埋层；在N+BL埋层上形成四氮化三硅应力层；离子注入形成N‑集电区；通过氧化形成二氧化硅掩蔽层，刻蚀出集电区窗口后进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；离子注入形成N+BL埋层连通区；在应变基区选择性外延Si |
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| 搜索关键词： | 一种 硅基硅锗异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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