[发明专利]一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用

摘要

本发明属于二维磁性材料领域，具体涉及一种MoO2非层状二维材料的制备方法，将MoO3粉末加热挥发，并和含氢载气中的氢气在基底表面化学沉积，形成MoO2非层状二维材料；所述的MoO3粉末的挥发温度大于或等于700℃；所述的基底的表面为二氧化硅或者TMDs；所述的化学沉积的温度为540～590℃。本发明还包括所述的制备方法制备的材料及其磁学方面的应用。本发明所述的制备方法能够成功制备MoO2非层状二维材料，且所述的制备方法制备的材料能意外地表现出线性磁阻行为，具有更优的磁学性能。