[发明专利]有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片有效
| 申请号： | 202310059892.1 | 申请日： | 2023-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116314499B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吕腾飞;郭园;展望;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 廖娜 |
| 地址： | 223005 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片，其外延结构包括衬底，以及依次位于其上的缓冲层，未掺杂U型GaN层，GaN层，有源层，p型GaN层及p型接触层；所述有源层从下至上依次为有源阱层和有源垒层交替生长形成，其中，有源垒层包括掺Si有源垒层和至少一层的掺Mg有源垒层。本发明利用阱层和垒层交替层叠而成的有源层结构，并至少在其中一个量子垒中通入一定量的Mg，让有源垒层中的空穴向两侧量子阱中迁移，改善只有后几个阱发光的情况，从而提升内量子效率，提升发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 垒层掺 mg 外延 结构 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，未经淮安澳洋顺昌光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310059892.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
