[发明专利]一种低噪声全局曝光像素结构及其工作方法有效
| 申请号： | 202310046390.5 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN115802186B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 高志远 | 申请（专利权）人： | 天津海芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H04N25/76 | 分类号： | H04N25/76;H04N25/60 |
| 代理公司： | 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 | 代理人： | 刘影 |
| 地址： | 300300 天津市滨海新区华苑*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低噪声全局曝光像素结构及其工作方法，所述像素单元包括光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、一号源跟随管、一号开关管、一号电容、下拉开关管、二号开关管、二号电容、二号源跟随管和输出晶体管。本发明有益效果：本发明将传统结构的源极跟随器中的起电流源作用的晶体管除去，在两个电容相连的节点处与地之间增加一个由输入信号控制栅极电压的晶体管，避免了源极跟随器电源VDD到地的通路中的持续电流。同时，源极处在浮空状态的晶体管相比源极跟随器可实现低噪声的信号缓冲。从而达到减小像素噪声、降低像素功耗的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 全局 曝光 像素 结构 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
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