[发明专利]一种复合硅基负极极片及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310032286.0 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116230863A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 赵青松;陆川;吴伟;王斌;利凯文;朱家乐;张祖豪;张克 | 申请（专利权）人： | 惠州亿纬锂能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王艳斋 |
| 地址： | 516006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种复合硅基负极极片及其制备方法和应用，所述复合硅基负极极片包括集流体和依次层叠设置于所述集流体表面的碳基材料涂层和硅基材料涂层，所述硅基材料涂层包括硅基活性材料、硬碳组织结构和导电网络，本发明对极片进行了分层结构设计，碳基活性材料与硅基活性材料分别置于不同电极涂层内，硅基材料涂层和碳基材料涂层一方面通过协同作用保证该极片整体结构的稳定性；另一方面，硅基材料涂层通过有效抑制SEI膜的重复生成，既防止了整体容量的快速衰减又提高了循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 负极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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