[发明专利]用于低温计算的高效能存储器在审
| 申请号： | 202310016205.8 | 申请日： | 2023-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN116312685A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 束宇豪;张宏图;哈亚军 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091;G11C11/4094;G11C11/4097 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;柏子雵 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于低温计算的高效能存储器，其特征在于，包括若干存储器组，每个存储器组包括一个CSDB‑GC宏模块、通用地址译码器和不同地址译码器，CSDB‑GC宏模块包括若干列本地块，每个本地块包括若干个CSDB‑GC存储器单元。芯片最终测量结果表明，该16Kb CSDB‑eDRAM实现了16.67秒的数据保留时间，该结果相较于4.2K条件下最先进的低温eDRAM工作提升了2.6倍，并实现了更低的刷新功耗(0.11pW/Kb)。此外，它还实现了710ps(1.41GHz)的更快访问时间。与最先进的工作相比，其动态功耗开销最低，为49.23uW/Kb。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低温 计算 高效能 存储器 | ||
【主权项】：
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