[发明专利]一种三轴磁场传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310012679.5 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN116008878A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 周柯;金庆忍;奉斌;王晓明;莫枝阅;吴丽芳;卢柏桦 | 申请（专利权）人： | 广西电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/06 |
| 代理公司： | 南宁东智知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 45117 | 代理人： | 黎华艳;裴康明 |
| 地址： | 530023 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 一种本发明公开了一种三轴磁场传感器及其制备方法，三轴磁场传感器包括两组结构相同、位置相互正交的磁传感模块，每组磁场传感器模块包括两组及以上的衬底层、磁隧道结阵列、定值电阻和磁通量衰减器，磁隧道结阵列设置在衬底的上方；定值电阻与磁隧道结阵列连接形成半桥；磁通量衰减器设置在磁隧道结阵列上方。本发明的三轴磁场传感器结构简单，方便生产。制备方法采用同一块一片晶圆/衬底通取die切割拼接实现，有利于提升良率，避免不同晶圆上生长薄膜的差异带来的影响。磁通量衰减器的形状、设计完全相同，降低了工艺复杂度，仅采用一次电镀即可实现磁通量衰减器的结构，避免了非敏感轴方向磁场对芯片测量的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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