[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 202280004128.8 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN115803856B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 小田大造;江藤基稀;山田隆;榛原照男;大石良 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 张嵩;薛仑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种新型Cu接合线，其带来良好的FAB形状的同时，抑制高温环境下的电化腐蚀，从而实现良好的第二接合部的接合可靠性。特征如下：该半导体装置用接合线含有：由Cu或Cu合金构成的芯材、形成于该芯材的表面的Pd和Ni的合计浓度在90原子％以上的被覆层；在通过俄歇电子光谱法即AES以在被覆层中深度方向的测定点在50个以上的方式进行测定从而获得的该线深度方向的浓度分布图中，被覆层的厚度为10nm以上130nm以下，将被覆层的所有测定点相关的Pd的原子％的浓度C |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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