[实用新型]一种控制硅片TTV腐蚀装置机构有效
| 申请号： | 202222585992.1 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN218274537U | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋志彬;毛荣昌;张宇平 | 申请（专利权）人： | 衢州晶哲电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/66;G01B7/06 |
| 代理公司： | 北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙) 11738 | 代理人： | 宋佳男 |
| 地址： | 324022 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及腐蚀装置技术领域，尤其为一种控制硅片TTV腐蚀装置机构，包括装置本体，还包括：底座，所述底座设置有若干个且上端均与装置本体下表面四周固定连接；升降机构，所述升降机构设置于装置本体上表面一侧；腐蚀机构，所述腐蚀机构设置于装置本体一侧；固定机构，所述固定机构设置有若干个且均与升降机构固定连接；电动测量器，所述电动测量器与装置本体上表面一侧固定连接；本实用新型，通过和控制器的电性连接可以实现自动化定时腐蚀工作，有效的解决了由人力控制出现失误的现象，提升了腐蚀的工作效率和精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 硅片 ttv 腐蚀 装置 机构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
