[实用新型]合并式PiN肖特基器件以及电子器件的结构有效
| 申请号： | 202222493103.9 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN219435881U | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | F·加纳佐;G·格雷克;F·罗卡福尔特;S·拉斯库纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/45;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 崔慧玲 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及合并式PiN肖特基器件以及电子器件的结构。合并式PiN肖特基(Merged‑PiN‑Schottky)MPS器件包括：固体，具有第一导电性；注入区域，延伸到固体中，面向固体的前侧，具有与第一导电性相对的第二导电性；以及半导体层，在前侧上延伸，由过渡金属二硫属化物TMD材料形成。半导体层的第一区域具有第二导电性，并且与注入区域电接触地延伸，并且半导体层的第二区域具有第一导电性，并且邻近第一区域，与前侧中具有第一导电性的相应表面部分电接触地延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 合并 pin 肖特基 器件 以及 电子器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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