[实用新型]一种半导体集成电路离子注入设备有效
| 申请号: | 202222128486.X | 申请日: | 2022-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN219163321U | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
| 发明(设计)人: | 丁伯继 | 申请(专利权)人: | 丁伯继 |
| 主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/143;H01J37/244 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310018 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种半导体集成电路离子注入设备,包括离子注入机和永磁体,还包括环状架,环状架上设置有测量机构,其中:测量机构包括滑动件;滑动件呈U型,永磁体抵触滑动件的U型内壁;滑动件上设置有刻度指示部,安装部的第一侧面上设置有刻度面。该实用新型提高的半导体集成电路离子注入设备,利用测量机构的滑动设置于安装部上的滑动件,可使永磁体在长时间的使用而磁力减弱后,将永磁体从滑动件中拆下以便于更换,随后将新的永磁体抵触滑动件U型内壁,刻度指示部指向刻度面以指示永磁体和滑动件向环状架轴心突伸的距离,便于更换永磁体时,重新对准永磁体的位置,因为永磁体的磁性减弱而降低离子聚集度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 集成电路 离子 注入 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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