[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202221689805.8 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN219085984U | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 骆志豪 |
| 地址： | 517025 广东省河源*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化镓高电子迁移率晶体管，涉及半导体技术领域；包括HEMT外延片、源极、栅极和漏极，所述HEMT外延片顶部包括AlGaN势垒层和与AlGaN势垒层上表面连接的钝化层，所述源极和漏极分别穿过所述钝化层与AlGaN势垒层表面形成欧姆接触，所述栅极底部设有半圆弧形栅结构，所述栅极穿过所述钝化层且所述半圆弧形栅结构延伸至AlGaN势垒层内部形成肖特基接触。本实用新型的栅极底部设有半圆弧形栅结构，该半圆弧形栅结构的应用可降低了栅下及边缘处的电子浓度，缓解电场集中效应，提升器件的击穿电压；同时半圆弧状栅结构的引入减薄了势垒层的厚度，提升器件的栅控能力和响应速度，降低了噪声比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河源市众拓光电科技有限公司，未经河源市众拓光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202221689805.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种喷淋臂及具有该喷淋臂的洗碗机
- 下一篇：电机无触点控制器
- 同类专利
- 专利分类
