[实用新型]一种多MOS器件并联的集成化布局散热结构有效
| 申请号： | 202220961175.9 | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN217428434U | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 乔婷婷 | 申请（专利权）人： | 贵州天义电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H05K1/18 | 分类号： | H05K1/18;H05K1/02;H05K7/20 |
| 代理公司： | 遵义市冈鸿专利代理事务所(普通合伙) 52102 | 代理人： | 陈源鸿 |
| 地址： | 563000 *** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种多MOS器件并联的集成化布局散热结构，包括上层MOS器件、印制板、铝基板、下层MOS器件、外壳、导热橡胶垫；所述上层MOS器件的引脚焊接在印制板上，上层MOS器件底部散热焊盘焊接在铝基板上；所述下层MOS器件的引脚及底部散热焊盘均焊接在印制板上；所述上层MOS器件与下层MOS器件之间的间隙及铝基板与外壳之间的间隙均通过方便拆卸的导热橡胶垫进行填充。本实用新型主要解决功率控制单元在结构布局上空间受限，且具有并联要求的同规格、大电流多MOS器件的散热难题，该结构能够使MOS器件根据功能分配进行分组分区域集中布局，且能够使MOS器件散热满足要求，在空间受限的约束下有效地利用高度空间，最大限度地提高空间利用率，实现集成化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 并联 集成化 布局 散热 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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