[实用新型]一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器有效
| 申请号: | 202220561718.8 | 申请日: | 2022-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN217361601U | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
| 发明(设计)人: | 付贵;郭广哲;方林逸;胡伟豪;周煜博 | 申请(专利权)人: | 中国民用航空飞行学院 |
| 主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/0216;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 | 代理人: | 何健雄 |
| 地址: | 618307 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种基于三元材料平面隧穿效应的光电探测器,所述探测器结构从下到上依次包括:衬底、绝缘层、新型三元材料、绝缘氧化物层材料、其他薄膜材料、金属电极。利用新型三元材料作为主体敏感薄膜层材料,通过差平面隧穿效应达到调制光电探测器电流响应度和响应速度的目的。本实用新型主要针对的是三元量子材料,新型三元材料具有在空气中稳定性、超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能,利用三元材料的这些特性,将其与其他薄膜材料复合制备面隧穿效应光电探测器,可以拓宽器件的响应光谱范围和提高器件光电性能,本实用新型的器件在隧穿效应的作用下具有响应速度快、响应度高、响应光谱范围广等特点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基于 三元 材料 平面 效应 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





