[实用新型]一种新型结构的IGBT芯片有效
| 申请号： | 202220473529.5 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN217158195U | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陆界江;周明江;吴磊;李娇 | 申请（专利权）人： | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331;H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型结构的IGBT芯片。所述新型结构的IGBT芯片包括：多个元胞结构；单个元胞结构从上到下依次包括芯片表面区域、芯片内部区域以及芯片背面区域；其中芯片表面区域包括发射极区域和氧化层；芯片内部区域包括多晶硅层、栅极氧化层、N+发射区、P+区域、P基区、P浮动区、N‑漂移区以及N‑缓冲区；芯片背面区域包括P+集电极以及背面金属电极；单个元胞结构为轴对称结构；氧化层的中央区域刻蚀有多个等间距设置的分流孔。本实用新型通过在氧化层的中央区域刻蚀有多个等间距设置的分流孔，在P浮动区上方提供了空穴通道，防止空穴载流子在P浮动区的聚集，在保证击穿电压稳定的情况下提高了IGBT的短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
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