[实用新型]一种硅片处理设备有效
| 申请号: | 202220089306.9 | 申请日: | 2022-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN216902821U | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
| 发明(设计)人: | 韩培丁;刘运宇;张良 | 申请(专利权)人: | 上海钧乾智造科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
| 地址: | 201517 上海市金山*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本实用新型提供了一种硅片处理设备,包括湿法站、导片站和高温站。所述湿法站用于对硼扩散后的硅片处理;所述导片站设于所述湿法站和所述高温站之间,与所述湿法站和所述高温站均连通;所述导片站内设有隔板,所述隔板将所述导片站分隔成装载室和等候室,所述装载室靠近所述湿法站,所述等候室靠近所述高温站,所述隔板上设有第一传送门,所述第一传送门用于将所述硅片从所述装载室输送至等候室;所述高温站与所述导片站之间设有第二传送门,所述第二传送门用于将所述硅片从所述等候室输送至高温站内;所述高温站用于对所述硅片制备多晶硅层。本实用新型缩短生产制程的时间,提高了硅片被处理后的可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 处理 设备 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





