[发明专利]一种终端沟槽结构的碳化硅二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211737278.8 | 申请日： | 2022-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN115985939A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王正;杨程;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种终端沟槽结构的碳化硅二极管及其制备方法，涉及碳化硅二极管器件。包括从下而上依次连接的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层；所述碳化硅外延层上设有交替设置的P型扩散区和P型分压环；所述碳化硅外延层的一侧设有从下而上依次设置的正面接触金属和正面加厚金属；所述碳化硅外延层的另一侧设有伸入正面接触金属下方的场氧；所述场氧的上方设有延伸至正面加厚金属上方的钝化层。具体的，所述钝化层包括从下而上依次设置的无机钝化层和有机钝化层。具体的，所述碳化硅衬底和碳化硅外延层导电类型均为N型。具体的，若干所述P型扩散区的间距相同。本发明很大程度上增强了器件的反向耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 终端 沟槽 结构 碳化硅 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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