[发明专利]一种高致密度的Ta-C涂层的制备方法在审
| 申请号： | 202211712351.6 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN115961243A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 林荣川;魏莎莎;谢仁齐;林源琳;陈俊荣;李元友;孟家豪 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C16/26;C23C28/04 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 黄一敏 |
| 地址： | 361021 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及基材表面改性领域，特别是一种高致密度的Ta‑C涂层的制备方法，包括以下步骤：S10,清理基体：通过弧光电子流激发工作气体形成等离子体，所述等离子体对所述基体表面进行刻蚀清洗；S20,沉积金属氮化物过渡层：通过磁控溅射在所述基体的表面镀制金属氮化物过渡层；S30,沉积类金刚石涂层：对工作腔室抽至真空，控制所述工作腔室温度在100℃～300℃，通入碳源气体及惰性气体，所述碳源气体与所述惰性气体的流量比例为(4～6)：(10～15)，对所述基体施加100V～300V偏压，开启超声振子施加超声波，所述超声振子的超声功率为10W～50W，沉积时间为10min～100min。通过上述方案本发明有效提高了Ta‑C涂层的致密度，改善涂层与基体之间结合力的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 ta 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
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