[发明专利]使用掩模进行选择性EMI屏蔽的半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202211661395.0 | 申请日： | 2022-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116403916A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李建赫;H·李;金玟政 | 申请（专利权）人： | 星科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;吕传奇 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过提供包括多个单元的条状衬底来制作半导体器件。孔形成在条状衬底中。密封剂沉积在条状衬底上。掩模被设置在条状衬底和密封剂上，其中掩模的腿部被设置在孔中。屏蔽层形成在掩模和条状衬底上。在形成屏蔽层之后去除掩模。在形成屏蔽层之后，将条状衬底单体化以将多个单元彼此分开。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 进行 选择性 emi 屏蔽 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
